年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Takashi Tsukasakiが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
-
Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence
Tsukasaki, T., Sumikura, H., Fujimoto, T., Fujita, M. & Makimoto, T., 2023 9月 1, In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 41, 5, 052702.研究成果: Article › 査読
Open Access -
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T., Mochida, N., Fujita, M. & Makimoto, T., 2022 1月 15, In: Physica B: Condensed Matter. 625, 413482.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 11月, In: Crystal Research and Technology. 56, 11, 2100204.研究成果: Comment/debate › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 3月, In: Crystal Research and Technology. 56, 3, 2000143.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5月 15, In: Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.研究成果: Article › 査読
4 被引用数 (Scopus)