年別の研究成果
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2003
A Memory Using One-transistor Gain Cell on SOI(FBC) with Performance Suitable for Embedded DRAM's
Ohsawa, T., Higashi, T., Fujita, K., Ikehashi, T., Kajiyama, T., Fukuzumi, Y., Shino, T., Yamada, H., Nakajima, H., Minami, Y., Yamada, T., Inoh, K. & Hamamoto, T., 2003, p. 93-96. 4 p.研究成果: Paper › 査読
12 被引用数 (Scopus) -
2000
60 ns access 32 kByte 3-transistor flash for low power embedded applications
Ikehashi, T., Noda, J., Imamiya, K., Ichikawa, M., Iwata, A. & Futatsuyama, T., 2000 1月 1, p. 162-165. 4 p.研究成果: Paper › 査読
3 被引用数 (Scopus) -
1999
Source-line programming scheme for low voltage operation NAND flash memories
Takeuchi, K., Satoh, S., Imamiya, K., Sugiura, Y., Nakamura, H., Himeno, T., Ikehashi, T., Kanda, K., Hosono, K. & Sakui, K., 1999, p. 37-38. 2 p.研究成果: Paper › 査読
9 被引用数 (Scopus)