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研究成果
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Scopus著者プロファイル
牧本 俊樹
教授
Professor 教授
,
先進理工学部
ウェブサイト
https://w-rdb.waseda.jp/html/100001210_ja.html
h-index
6097
被引用数
38
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1984 …
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(209)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
bipolar transistors
Physics & Astronomy
100%
Metallorganic vapor phase epitaxy
Engineering & Materials Science
94%
heterojunctions
Physics & Astronomy
81%
Heterojunction bipolar transistors
Engineering & Materials Science
71%
Photoluminescence
Engineering & Materials Science
66%
Substrates
Engineering & Materials Science
65%
Epitaxial growth
Engineering & Materials Science
61%
epitaxy
Physics & Astronomy
54%
ネットワーク
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研究成果
年別の研究成果
1984
2004
2005
2006
2007
2022
175
Article
19
Conference article
9
Conference contribution
3
Paper
3
その他
2
Comment/debate
1
Chapter
年別の研究成果
年別の研究成果
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T.
,
Mochida, N.
,
Fujita, M.
&
Makimoto, T.
,
2022 1月 15
,
In:
Physica B: Condensed Matter.
625
, 413482.
研究成果
:
Article
›
査読
Electron traps
100%
Electron Trap
75%
Electric properties
56%
Annealing
53%
Conduction bands
45%
Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN
Jia, J.
,
Yagi, T.
,
Mizutani, M.
,
Yamada, N.
&
Makimoto, T.
,
2022 10月 28
,
In:
Journal of Applied Physics.
132
,
16
, 165702.
研究成果
:
Article
›
査読
reflectance
100%
occupation
72%
electrons
60%
permittivity
49%
irradiation
45%
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T.
,
Hiyoshi, R.
,
Fujita, M.
&
Makimoto, T.
,
2021 11月
,
In:
Crystal Research and Technology.
56
,
11
, 2100204.
研究成果
:
Comment/debate
›
査読
Photoluminescence
100%
doped crystals
63%
Electrons
62%
Crystals
61%
photoluminescence
43%
1
被引用数 (Scopus)
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T.
,
Hiyoshi, R.
,
Fujita, M.
&
Makimoto, T.
,
2021 3月
,
In:
Crystal Research and Technology.
56
,
3
, 2000143.
研究成果
:
Article
›
査読
Photoluminescence
100%
photoluminescence
43%
Energy
29%
Energy gap
28%
Optical transitions
25%
Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T.
,
Hiyoshi, R.
,
Fujita, M.
&
Makimoto, T.
,
2019 5月 15
,
In:
Journal of Crystal Growth.
514
,
p. 45-48
4 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Growth temperature
100%
Molecular beam epitaxy
96%
Hall effect
84%
Nitrides
74%
Doping (additives)
69%
3
被引用数 (Scopus)