年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence
Tsukasaki, T., Sumikura, H., Fujimoto, T., Fujita, M. & Makimoto, T., 2023 9月 1, In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 41, 5, 052702.研究成果: Article › 査読
Open Access -
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T., Mochida, N., Fujita, M. & Makimoto, T., 2022 1月 15, In: Physica B: Condensed Matter. 625, 413482.研究成果: Article › 査読
Open Access3 被引用数 (Scopus) -
Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN
Jia, J., Yagi, T., Mizutani, M., Yamada, N. & Makimoto, T., 2022 10月 28, In: Journal of Applied Physics. 132, 16, 165702.研究成果: Article › 査読
2 被引用数 (Scopus) -
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 11月, In: Crystal Research and Technology. 56, 11, 2100204.研究成果: Comment/debate › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 3月, In: Crystal Research and Technology. 56, 3, 2000143.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus)