年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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ネットワーク
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Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T., Mochida, N., Fujita, M. & Makimoto, T., 2022 1月 15, In: Physica B: Condensed Matter. 625, 413482.研究成果: Article › 査読
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Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN
Jia, J., Yagi, T., Mizutani, M., Yamada, N. & Makimoto, T., 2022 10月 28, In: Journal of Applied Physics. 132, 16, 165702.研究成果: Article › 査読
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Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 11月, In: Crystal Research and Technology. 56, 11, 2100204.研究成果: Comment/debate › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 3月, In: Crystal Research and Technology. 56, 3, 2000143.研究成果: Article › 査読
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Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5月 15, In: Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.研究成果: Article › 査読
3 被引用数 (Scopus)