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Scopus著者プロファイル
牧本 俊樹
教授
Professor 教授
,
先進理工学部
ウェブサイト
https://w-rdb.waseda.jp/html/100001210_ja.html
h-index
7220
被引用数
41
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1984 …
2023
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(210)
類似のプロファイル
(1)
フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Heterojunction
Material Science
100%
Gallium Arsenide
Material Science
92%
Heterojunctions
Engineering
79%
Bipolar Transistor
Material Science
70%
Epitaxy
Material Science
45%
Aluminum Nitride
Material Science
34%
Current Gain
Engineering
33%
Field Effect Transistor
Material Science
33%
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研究成果
年別の研究成果
1984
2004
2005
2006
2007
2023
176
Article
19
Conference article
9
Conference contribution
3
Paper
3
その他
2
Comment/debate
1
Chapter
年別の研究成果
年別の研究成果
Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence
Tsukasaki, T., Sumikura, H., Fujimoto, T., Fujita, M. &
Makimoto, T.
,
2023 9月 1
,
In:
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films.
41
,
5
, 052702.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Recombination Mechanism
100%
Time-resolved Photoluminescence
100%
GaAsN
100%
Continuous Wave
100%
Photoluminescence Spectrum
100%
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T., Mochida, N., Fujita, M. &
Makimoto, T.
,
2022 1月 15
,
In:
Physica B: Condensed Matter.
625
, 413482.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Electron Trap
100%
Annealing
100%
Deep Electron Traps
55%
Conduction Band
50%
Temperature Dependence
33%
3
被引用数 (Scopus)
Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN
Jia, J.
, Yagi, T., Mizutani, M., Yamada, N. &
Makimoto, T.
,
2022 10月 28
,
In:
Journal of Applied Physics.
132
,
16
, 165702.
研究成果
:
Article
›
査読
Transmissions
100%
Transients
100%
Reflectivity
100%
Permittivity
50%
Ultrafast Carrier Dynamics
33%
2
被引用数 (Scopus)
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. &
Makimoto, T.
,
2021 11月
,
In:
Crystal Research and Technology.
56
,
11
, 2100204.
研究成果
:
Comment/debate
›
査読
Si-doped
100%
GaAsN
100%
Photoluminescence Mechanism
100%
Energy Engineering
100%
Peak Energy
100%
1
被引用数 (Scopus)
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. &
Makimoto, T.
,
2021 3月
,
In:
Crystal Research and Technology.
56
,
3
, 2000143.
研究成果
:
Article
›
査読
Energy Engineering
100%
Peak Energy
100%
Photoluminescence
100%
Photoluminescence Mechanism
100%
Valence Band
33%
1
被引用数 (Scopus)