A bulk-current model for advanced MOSFET technologies without binning: Substrate current and Fowler-Nordheim current

Ryosuke Inagaki*, Norio Sadachika, Dondee Navarro, Mitiko Miura-Mattausch, Yasuaki Inoue

*この研究の対応する著者

    研究成果: Article › 査読

    フィンガープリント

    「A bulk-current model for advanced MOSFET technologies without binning: Substrate current and Fowler-Nordheim current」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    Engineering & Materials Science