抄録
A PN junction current model for advanced MOSFETs is proposed and implemented into HiSIM2, a complete surface-potentialbased MOSFET model. The model includes forward diode currents and reverse diode currents, and requires a total of 13 model parameters covering all bias conditions. Model simulation results reproduce measurements for different device geometries over a wide range of bias and temperature values.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 983-989 |
| ページ数 | 7 |
| ジャーナル | IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences |
| 巻 | E92-A |
| 号 | 4 |
| DOI | |
| 出版ステータス | Published - 2009 |
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- 電子工学および電気工学
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