Amplitude/phase temperature compensation attenuators with variable-Q FET Resonators

Masatake Hangai*, Hideki Asao, Morishige Hieda, Mamiko Yamaguchi, Moriyasu Miyazaki

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抄録

Amplitude/phase temperature compensation attenuators have been developed. The circuits are based on new variable-Q field-effect transistor resonators. By employing the configuration, the dynamic range of the attenuation and the phase-shift can be flexibly determined. To verify this methodology, we have fabricated a low phase-shift temperature compensation attenuator and an amplitude/phase temperature compensation attenuator with monolithic microwave integrated circuit technology. The low phase-shift circuit achieved an attenuation dynamic range of 16.9 dB, a phase shift of 5.2°, and a minimum insertion loss of 4.5 dB in X-band over 75 °C temperature variation. The amplitude/phase compensation circuit achieved an attenuation dynamic range of 11.7 dB, a phase shift of +37°, and a minimum insertion loss of 4.9 dB in X-band over 75 °C temperature variation.

本文言語English
論文番号4682592
ページ(範囲)3058-3065
ページ数8
ジャーナルIEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
56
12
DOI
出版ステータスPublished - 2008 12月
外部発表はい

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  • 放射線
  • 凝縮系物理学
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