Change of electronic structures with hole doping in strongly correlated electron systems: titanium oxides

Y. Tokura*, Y. Taguchi, Y. Okada, T. Katsufuji, T. Arima, K. Kumagai

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抄録

Crossover behavior of electronic structures from Mott insulator to Pauli metal has been investigated as a function of filling in titanium oxide compounds with perovskite-like structures. The role of the electron correlation manifests itself in filling-dependent enhancement of the density of states at the Fermi level, carrier scattering rate and spin susceptibility on the verge of the metal-insulator transition.

本文言語English
ページ(範囲)992-994
ページ数3
ジャーナルPhysica B: Physics of Condensed Matter
186-188
C
DOI
出版ステータスPublished - 1993 5月 2
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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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