Deep sub-micron gate diamond MISFETs

Hiroki Matsudaira*, Arima Takuya, Hitoshi Umezawa, Shingo Miyamoto, Hiroaki Ishizaka, Minoru Tachiki, Hiroshi Kawarada

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抄録

The basic characteristics of the short channel FETs have been investigated for the high-frequency performance of the diamond MISFETs. The deep sub-micron gate (0.23-0.5 μm) diamond MISFETs were fabricated on an H-terminated diamond surface. The short channel effect is well suppressed utilizing thin gate insulator. Accordingly, the transconductance is improved by reduction of gate length down to 0.2 μm. This tendency is observed in diamond MISFETs for the first time. Maximum transconductance reaches 71 mS/mm in DC mode and 51 mS/mm in AC mode. The f T of 40 GHz is expected in 0.2 μm gate MISFETs as a result.

本文言語English
ページ(範囲)1814-1818
ページ数5
ジャーナルDiamond and Related Materials
12
10-11
DOI
出版ステータスPublished - 2003

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 化学一般
  • 機械工学
  • 材料化学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Deep sub-micron gate diamond MISFETs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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