Effects of atomic disorder on impact ionization rate in silicon nanodots

N. Mori, M. Tomita, H. Minari, T. Watanabe, N. Koshida

研究成果: Conference contribution

抄録

We theoretically investigate effects of atomic disorder existing near the Si/SiO2 interfaces on the impact ionization rate of a Si nanodot (SiND). We find that the impact ionization rate of a disordered SiND becomes higher near the threshold energy and approaches that of an ideal SiND for higher energy region.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルPhysics of Semiconductors - Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012
出版社American Institute of Physics Inc.
ページ381-382
ページ数2
ISBN(印刷版)9780735411944
DOI
出版ステータスPublished - 2013
イベント31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012 - Zurich, Switzerland
継続期間: 2012 7月 292012 8月 3

出版物シリーズ

名前AIP Conference Proceedings
1566
ISSN(印刷版)0094-243X
ISSN(電子版)1551-7616

Conference

Conference31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012
国/地域Switzerland
CityZurich
Period12/7/2912/8/3

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学一般

フィンガープリント

「Effects of atomic disorder on impact ionization rate in silicon nanodots」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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