| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 151-153 |
| ページ数 | 3 |
| ジャーナル | New Diamond and Frontier Carbon Technology |
| 巻 | 9 |
| 号 | 2 |
| 出版ステータス | Published - 1999 12月 1 |
ASJC Scopus subject areas
- 材料科学（全般）
- 表面および界面
- 表面、皮膜および薄膜
Fabrication of 1 μm Gate Diamond FET Using Self-Aligned Gate Process
Hitoshi Umezawa*, Kenich Kitatani, Kengo Kinumura, Nobuyuki Seto, Kazuo Tsugawa, Hiroshi Kawarada
*この研究の対応する著者
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