III-V membrane buried heterostructure lasers on SiO 2 /Si substrate

Tomonari Sato, Takuro Fujii, Koji Takeda, Takaaki Kakitsuka, Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Shinji Matsuo

研究成果: Conference contribution

抄録

A membrane buried heterostructure with a lateral p-i-n junction on SiO 2 /Si substrate enables tight confinement of carriers and photons simultaneously, which enables us to achieve energy-efficient lasers.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルFrontiers in Optics, FIO 2018
出版社OSA - The Optical Society
ISBN(印刷版)9781943580460
DOI
出版ステータスPublished - 2018 1月 1
外部発表はい
イベントFrontiers in Optics, FIO 2018 - Washington, DC, United States
継続期間: 2018 9月 162018 9月 20

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
Part F114-FIO 2018

Conference

ConferenceFrontiers in Optics, FIO 2018
国/地域United States
CityWashington, DC
Period18/9/1618/9/20

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 材料力学

フィンガープリント

「III-V membrane buried heterostructure lasers on SiO 2 /Si substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル