Low phase noise, InGaP/GaAs HBT VCO MMIC for millimeter-wave applications

Satoshi Kurachi*, Toshihiko Yoshimasu

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抄録

A fully integrated voltage controlled oscillator (VCO) MMIC for millimeter-wave applications has been designed and implemented in InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) technology. To achieve a fully integrated VCO, a base-emitter diode is employed as the tuning varactor, and microstrip lines are employed for the transmission lines. The fabricated VCO MMIC chip size is 0.86 mm × 1.34 mm and delivers an output power of 5.1 dBm at 28.7 GHz and a free-running phase noise of -118 dBc/Hz at 1 MHz offset. The dc current consumption is only 20 mA.

本文言語English
ページ(範囲)678-682
ページ数5
ジャーナルIEICE Transactions on Electronics
E88-C
4
DOI
出版ステータスPublished - 2005 4月

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Low phase noise, InGaP/GaAs HBT VCO MMIC for millimeter-wave applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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