Low-voltage organic field-effect transistors with a gate insulator of Ta2O5 formed by sputtering

Heisuke Sakai, Yukio Furukawa*, Eiichi Fujiwara, Hirokazu Tada

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抄録

The Ta2O5 film prepared on silicon by RF sputtering has been used as a gate insulator for the top-contact field-effect transistors fabricated with poly(2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) or pentacene. Good transistor characteristics have been obtained with saturation at low drive voltages (about -3 V) and with hole mobilities of 5.2 × 10-4 cm2/Vs (MEH-PPV) and 0.8 cm2/Vs (pentacene).

本文言語English
ページ(範囲)1172-1173
ページ数2
ジャーナルChemistry Letters
33
9
DOI
出版ステータスPublished - 2004 9月 5

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  • 化学一般

フィンガープリント

「Low-voltage organic field-effect transistors with a gate insulator of Ta2O5 formed by sputtering」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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