PARASITIC RESISTANCE EFFECTS ON STATIC MOS RAM.

H. Shinohara*, K. Anami, M. Yoshimoto, Y. Hirata, T. Nakano

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference article査読

6 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)106-107
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
出版ステータスPublished - 1982
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

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