Underlayer-dependent perpendicular magnetic anisotropy of Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy ultra-thin films

M. Sun, S. Takahashi, T. Kubota, A. Tsukamoto, Y. Sonobe, K. Takanashi

研究成果: Conference contribution

抄録

Spin transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) is being developed as a candidate for the next generation memories nowadays.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781538610862
DOI
出版ステータスPublished - 2017 8月 10
外部発表はい
イベント2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017 - Dublin, Ireland
継続期間: 2017 4月 242017 4月 28

出版物シリーズ

名前2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017

Other

Other2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017
国/地域Ireland
CityDublin
Period17/4/2417/4/28

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Underlayer-dependent perpendicular magnetic anisotropy of Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy ultra-thin films」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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