メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
早稲田大学 ホーム
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
研究成果
専門知識、名前、または所属機関で検索
Valence-band parameters and hole mobility of Ge-Si alloys-theory
K. Takeda
*
, A. Taguchi, M. Sakata
*
この研究の対応する著者
研究成果
:
Article
›
査読
52
被引用数 (Scopus)
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Valence-band parameters and hole mobility of Ge-Si alloys-theory」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Si-Ge alloys
100%
Valence bands
98%
Hole mobility
90%
Phonons
57%
Scattering
51%
Band structure
25%
Impurities
17%
Relaxation
16%
Temperature
7%
Chemical Compounds
Hole Mobility
64%
Valence Band
60%
Optical Phonon
43%
Alloy
38%
Phonon
30%
Electronic Band Structure
27%
Time
9%
Physics & Astronomy
hole mobility
62%
valence
39%
scattering
21%
phonons
18%
impurities
9%
temperature dependence
8%
interactions
5%